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IXFT80N10Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTA80N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IXTA80N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTP80N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFX32N50

IXYS
TO-247

IXYS

IXYS Corporation

上傳：深圳市凌旭科技有限公司

IXYS

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFT80N10Q

  • 功能描述：

    MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
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TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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原裝正品，支持實(shí)單
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TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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60000
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IXYS/艾賽斯
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更多IXFT80N10Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 10:19:00

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