首頁 >IXFX52N30Q>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IXFX52N30Q

Package：TO-247-3 變式；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3

IXYS

IXYS Corporation

IXFC52N30P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFC52N30P

PolarHTTMHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFH52N30P

PolarHTPowerMOSFETHiPerFET

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackages ?Fastrecoverydiode ?Avalancherated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXFH52N30P

PowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFH52N30P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=73mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH52N30Q

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH52N30Q

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtLowGateChargeandCapacitances

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr LowGateChargeandCapacitances Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalanche

IXYS

IXYS Corporation

IXFK52N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK52N30Q

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtLowGateChargeandCapacitances

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr LowGateChargeandCapacitances Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalanche

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXFX52N30Q

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    HiPerFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    52A（Tc）

  • 功率耗散（最大值）：

    360W（Tc）

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
1503+
TO-247
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS
23+
TO2473
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
24+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多IXFX52N30Q供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多