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IXGA48N60C3

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Corporation

IXGA48N60C3

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGA48N60C3

High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching

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IXGH48N60C3

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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High-SpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching

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IXGH48N60C3

GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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High-SpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching

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High-SpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching

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GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IXGA48N60C3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 48 Amps 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IXGA48N60C3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 10:18:00