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IXGH30N60C2D1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH30N60C2D1
廠商型號

IXGH30N60C2D1
參數(shù)屬性

IXGH30N60C2D1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 190W TO247
功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode
IGBT 600V 70A 190W TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

169.96 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-5 22:30:00
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IXGH30N60C2D1規(guī)格書詳情

IXGH30N60C2D1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH30N60C2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

C2-Class High Speed IGBTs

Features

? Very high frequency IGBT

? Square RBSOA

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

? PFC circuits

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switched-mode and resonant-mode

power supplies

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

Advantages

? High power density

? Very fast switching speed for high

frequency aaplications

? High power surface mountable

package

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH30N60C2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，24A

  • 開關能量：

    190μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    13ns/70ns

  • 測試條件：

    400V，24A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 190W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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