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IXGH36N60B3

GenX3 600V IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH36N60B3

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 92A 250W TO247

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IXGH36N60B3C1

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

MediumSpeedLowVsatPT IGBTfor5-40kHzSwitching Features ●OptimizedforLowConductionand SwitchingLosses ●SquareRBSOA ●Anti-ParallelSchottkyDiode ●InternationalStandardPackage Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDriveRequirement Applications ●PowerInverte

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IXGH36N60B3D1

GenX3 600V IGBT w/ Diode

Medium-SpeedLow-VsatPTIGBT for5-40kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionand SwitchingLosses ?SquareRBSOA ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackage Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInver

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IXGH36N60B3D4

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGH36N60B3D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 250W TO247AD

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IXGH36N60B3D4

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 250W TO247

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH36N60B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    540μJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    19ns/125ns

  • 測試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 92A 250W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
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更多IXGH36N60B3供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 11:03:00

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