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IXGK35N120BD1

HiPerFAST IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGK35N120BD1

Package:TO-264-3,TO-264AA;包裝:管件 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 70A 350W TO264AA

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IXGQ35N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

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IXGR35N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

HighVoltageIGBTwithDiode(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features ?SiliconchiponDCBsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?IGBTandanti-parallelFREDforresonantpowersupplies -Inductionheating -R

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IXGX35N120BD1

HiPerFASTIGBT

IXYS

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IXSK35N120BD1

HIGHVOLTAGEIGBTWITHDIODE

HighVoltageIGBTwithDiode ShortCircuitSOACapability Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchopper ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies

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IXSR35N120BD1

IGBTwithDiodeISOPLUS247(ElectricallyIsolatedBackside)

ShortCircuitSOACapability Features ●DCBIsolatedmountingtab ●MeetsTO-247ADpackageoutline ●Highcurrenthandlingcapability ●LatestgenerationHDMOSTMprocess ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandreson

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IXYS Corporation

IXSX35N120BD1

HIGHVOLTAGEIGBTWITHDIODE

HighVoltageIGBTwithDiode ShortCircuitSOACapability Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchopper ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies

IXYS

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產品屬性

  • 產品編號:

    IXGK35N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,35A

  • 開關能量:

    3.8mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    50ns/180ns

  • 測試條件:

    960V,35A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-264(IXGK)

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 350W TO264AA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGK35N120BD1供應商 更新時間2025-1-25 16:15:00