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IXGM30N60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGM30N60
廠商型號(hào)

IXGM30N60
參數(shù)屬性

IXGM30N60 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：POWER MOSFET TO-3
功能描述

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
POWER MOSFET TO-3
封裝外殼

TO-204AE
文件大小

64.75 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-26 22:30:00

IXGM30N60規(guī)格書詳情

IXGM30N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGM30N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS? process

Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGM30N60

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，30A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    100ns/500ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-204AE

  • 描述：

    POWER MOSFET TO-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
2020+
TO-3
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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IXYS/艾賽斯
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原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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全新原裝現(xiàn)貨
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