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IXGQ50N60B4D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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  • 廠家型號：

    IXGQ50N60B4D1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS(艾賽斯)

  • 庫存數(shù)量：

    7500

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：IXGQ50N60B4D1品牌：IXYS(艾賽斯)

IXYS(艾賽斯)全系列在售

IXGQ50N60B4D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS(艾賽斯)/IXYS生產(chǎn)封裝N/A/TO-3P-3，SC-65-3的IXGQ50N60B4D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGQ50N60B4D1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    205.86 kb

  • 資料說明：

    Low-Vsat PT Trench IGBTs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGQ50N60B4D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，36A

  • 開關(guān)能量：

    930μJ（開），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    37ns/330ns

  • 測試條件：

    400V，36A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 100A 300W TO3P

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    17375148621

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82713279

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411

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