IXGT31N60D1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào):IXGT31N60D1品牌:IXYS

資料說明:IGBT 600V 60A 150W TO268

IXGT31N60D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA的IXGT31N60D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    ixgt31n60d1

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 資料說明:

    IGBT 600V 60A 150W TO268

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGT31N60D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,31A

  • 開關(guān)能量:

    6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/400ns

  • 測試條件:

    480V,31A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 150W TO268

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
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TO268
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
23+
TO268
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-268
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
IXYS
24+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-268D3PAK
21368
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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IXYS/艾賽斯
24+
65200
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