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IXSA10N60B2D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXSA10N60B2D1
廠商型號

IXSA10N60B2D1

參數(shù)屬性

IXSA10N60B2D1 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 100W TO263

功能描述

High Speed IGBT with Diode
IGBT 600V 20A 100W TO263

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

589.11 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 17:00:00

IXSA10N60B2D1規(guī)格書詳情

IXSA10N60B2D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXSA10N60B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

VCES = 600 V

IC25 = 20 A

VCE(sat) = 2.5 V

Features

? International standard packages

? Guaranteed Short Circuit SOA capability

? Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

? Fast fall time for switching speeds up to 20 kHz

Applications

? AC motor speed control

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Welding Advantages

? High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXSA10N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    430μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/180ns

  • 測試條件:

    480V,10A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263AA

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 100W TO263

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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