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3N120	文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages	NPN/PNPDUALEMITTERCHOPPERBI-POLARTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
HM3N120A	文件：616 Kbytes Page：9 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM3N120F	文件：430.8 Kbytes Page：9 Pages	Electricwelder,Inverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IXFA3N120	文件：565.87 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA3N120	文件：332.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP3N120	文件：296.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP3N120	文件：565.87 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA3N120	文件：102.19 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveloadSwitching(UIS) ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA3N120	文件：562.72 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveloadSwitching(UIS) ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA3N120HV	文件：144.59 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH3N120	文件：145.17 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH3N120	文件：321.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andAC-DCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP3N120	文件：357.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP3N120	文件：102.19 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveloadSwitching(UIS) ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP3N120	文件：562.72 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveloadSwitching(UIS) ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MTB3N120E	文件：322.18 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES1200VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP3N120E	文件：300.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP3N120E	文件：252.45 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES1200VOLTSRDS(on)=5.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–voltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IXTA3N120TRL
功能描述：
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市納艾斯科技有限公司	IXTA3N120TRL	IXYS	2020+	TO-263	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市珩瑞科技有限公司	IXTA3N120TRL	IXYS/艾賽斯	21+	TO-263	6000	原裝正品	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IXTA3N120TRL	IXYS/艾賽斯	2021+	TO-263	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTA3N120TRL	IXYS	24+	TO-263	7500		詢價
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更多IXTA3N120TRL供應(yīng)商更新時間2025-1-10 22:30:00

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