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IXTB30N100L

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTB30N100L

Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS

IXYS Corporation

BW-30N100W

N-TypeFixedAttenuator

MINI

Mini-Circuits

IGW30N100T

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnology ?TrenchStop?andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat ?Designedf

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

HighSpeed2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFK30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTN30N100L

N-ChannelPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTN30N100L

PowerMOSFETswithExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

RM30N100HD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=100V,ID=30A SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM30N100LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTB30N100L

  • 功能描述：

    MOSFET 30 Amps 1000V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
PLUS264?
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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IXYS
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IXYS
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公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
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NXP/恩智浦
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SOD113
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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TO-263
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
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IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
更多IXTB30N100L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 17:19:00

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