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IXTH120P065T中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXTH120P065T
廠商型號(hào)

IXTH120P065T

功能描述

TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

文件大小

195.35 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXTH120P065T

  • 功能描述:

    MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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IXYS
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TO247
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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公司只做原裝正品
詢價(jià)
IXYS
18+
NA
3356
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)