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IXTQ110N055P

N-Channel: Standard Power MOSFETs

·Breakdown voltages (VDSS) up to 4500V\n·Current ratings (ID25) ranging from 100mA to 250A\n·Ultra-low RDS(on) - as low as 7.5 milliohm\n·High power density\n·Easy to mount\n·PCB space savings\n·International standard and proprietary high voltage packages\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXTQ110N055P

PolarHT Power MOSFET

PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTQ110N055P

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

NP110N055PUG

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

NP110N055PUG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

NP110N055PUJ

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

技術(shù)參數(shù)

  • Package Style：

    TO-3P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXTQ110N055P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 16:38:00

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