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IXTQ30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ30N60P	文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTT30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60P	文件：276.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTV30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60PS	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K30N60	文件：324.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
K30N60HS	文件：435.61 Kbytes Page：14 Pages	HIGHSPEEDIGBTINNPT-TECHNOLOGY HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF30N60KDA	文件：1.57088 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGF30N60PA	文件：1.41679 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MGW30N60	文件：214.5 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGY30N60D	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：180.9 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：139.87 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60SWG	文件：98.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTQ30N60P
功能描述：
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	24+	TO-3P	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
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更多IXTQ30N60P供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 11:05:00

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