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JANS1N5711UBD

Package：4-SMD，無引線；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：SCHOTTKY DIODE

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

JANS1N5711UBD/TR

Package：3-SMD，無引線；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

1N5711

GeneralPurposeAxialLeadGlassPackagedSchottkyDiodes

DescriptionandApplications Thesesilicondiodesarepackagedinahermeticaxialleadglasspackage.Varioususesincludedetecting,mixingandswitchingatlowpowerlevels.Theyaresuitableforcommercialswitchingalongwithcontrolfunctionsinnarrowbandreceivers.Thesediodescanalso

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

1N5711

PicoSecondSwitchingSpeed

Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

1N5711

15mAAxialLeadedSchottkyBarrierDiodes

Features ●Forgeneralpurposeapplications ●Metal-on-siliconSchottkybarrierdevicewhichisprotected byaPNjunctionguardring.Thelowforwardvoltage dropandfastswitchingmakeitidealforprotectionof MOSdevices,steering,biasingandcouplingdiodesfor fastswitc

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

1N5711

SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES

VOLTAGERANGE:70VPOWERDISSIPATION:400mW FEATURES ◇Forgeneralpurposeapplications ◇fastswitchingandlowlogiclevelapplications Metalsiliconschottkybarrierdevicewhichisprotected byaPNjunctionguardring.Thelowforwardvoltage dropandfastswitchingmakeiti

DSK

Diode Semiconductor Korea

1N5711

SCHOTTKYBARRIERSWITCHINGDIODE

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行

1N5711

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5711

400mWattSmallSignalSchottkyDiode60to70Volts

Features ?MoistureSensitivity:Level1perJ-STD-020C ?HighReverseBreakdownVoltage ?LowForwardVoltageDrop ?ForGeneralPurposeApplication ?Marking:Cathodebandandtypenumber ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

1N5711

SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications

Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JANS1N5711UBD

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/444

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 速度：

    小信號 =< 200mA（Io），任意速度

  • 不同?Vr、F 時電容：

    2pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，無引線

  • 供應商器件封裝：

    UB

  • 工作溫度 - 結：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    SCHOTTKY DIODE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROCHIP(美國微芯)
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Microchip Technology
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MICROSEMI
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1983
只做原裝正品
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更多JANS1N5711UBD供應商 更新時間2025-2-21 16:02:00

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