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RLD2N65	文件：448.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features ?VDS=650V,ID=2A ?RDS(ON)=4Ω@VGS=10V(Typ.) ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLF2N65CT	文件：442.5 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features ?VDS=650V,ID=2A ?RDS(ON)=3.6Ω@VGS=10V(Typ.) ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RMP2N65TI	文件：915.84 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES LowCrss Lowgatecharge Fastswitching ImprovedESDcapability Improveddv/dtcapability 100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RT2N65M	文件：137.36 Kbytes Page：4 Pages	CompositeTransistorForMutingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT2N65Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION mutingcircuit、switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 諫早電子諫早電子株式會(huì)社	ISAHAYA

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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	JCS2N65FC	HF	2048+	TO-220F	9851	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
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