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NJ4N80-BL

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80D-LI

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80D-TR

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80F-LI

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80-LI

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

SIHA4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHA4N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHB4N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHD4N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHD4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):1.27Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SINO-MICRO
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TO-220F
32500
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VBSEMI/微碧半導體
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TO220F
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更多JCS4N80FH供應商 更新時間2025-6-8 14:02:00