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ISL9N322AP3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISL9N322AP3

N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedUltraFETTrenchPowerMOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

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更多JSL9N322AP3供應商 更新時間2025-2-7 13:36:00

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