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K20A60U	文件：184.91 Kbytes Page：6 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=12S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
K20A60W	文件：248.86 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
KCU20A60	文件：125.72 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NI National Instruments Inc.	NI
KCU20A60	文件：45.19 Kbytes Page：5 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES SimilartoTO-247ACCase DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
MBR20A60CTH	文件：133.31 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
MBR20A60FCTH	文件：133.31 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SBL20A60	文件：217.56 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60-C	文件：217.56 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60F	文件：248.99 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60F	文件：248.99 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60F-C	文件：248.99 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60F-C	文件：248.99 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBR20A60CT	文件：243.91 Kbytes Page：5 Pages	SUPERBARRIERRECTIFIER20ASBR?	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SBR20A60CT	文件：151.76 Kbytes Page：5 Pages	20ASBRSUPERBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SBR20A60CT	文件：180.47 Kbytes Page：3 Pages	20ASBRSuperBarrierRectifier	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SBR20A60CT	文件：270.86 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SBR20A60CTB	文件：275.67 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·Guard-RingforStressProtection ·LowForwardVoltage ·HighOperatingJunctionTemperature ·GuaranteedReverseAvalanche ·LowPowerLoss/HighEfficiency ·Highsurgecapability ·LowStoredChargeMajorityCarrierConduction ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperfo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SBR20A60CTB	文件：151.76 Kbytes Page：5 Pages	20ASBRSUPERBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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SBR20A60CTB-G	文件：243.91 Kbytes Page：5 Pages	SUPERBARRIERRECTIFIER20ASBR?	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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更多K20A60U供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 8:00:00

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