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K4B1G0846D-HCF8中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

K4B1G0846D-HCF8
廠商型號(hào)

K4B1G0846D-HCF8

功能描述

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

文件大小

1.2053 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

60 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-28 9:43:00

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K4B1G0846D-HCF8規(guī)格書詳情

The 1Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    K4B1G0846D-HCF8

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Samsung
23+
BGA
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