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K4B2G0846D-HYK0中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

K4B2G0846D-HYK0
廠商型號(hào)

K4B2G0846D-HYK0

功能描述

2Gb D-die DDR3L SDRAM

文件大小

1.74964 Mbytes

頁面數(shù)量

64

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 13:48:00

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K4B2G0846D-HYK0規(guī)格書詳情

The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    K4B2G0846D-HYK0

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    2Gb D-die DDR3L SDRAM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SAMSUNG/三星
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