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K4B4G0846E-BYMA

DDR3

? High Speed and Performance\n? Low Power, Efficient DRAM Solution\n;

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

Samsung

K4B4G0846E-BYMA

4Gb E-die DDR3L SDRAM

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

Samsung

K4B4G0846B

DDP4GbB-dieDDR3SDRAMSpecification

KeyFeatures ?JEDECstandard1.5V±0.075VPowerSupply ?VDDQ=1.5V±0.075V ?400MHzfCKfor800Mb/sec/pin,533MHzfCKfor1066Mb/sec/pin, 667MHzfCKfor1333Mb/sec/pin ?8Banks ?PostedCAS ?ProgrammableCASLatency(postedCAS):6,7,8,9,10 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

Samsung

K4B4G0846B

DDR3SDRAMMemory

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

Samsung

K4B4G0846C

DDR3SDRAMMemory

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

Samsung

K4B4G0846Q-HC

PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage

Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

Samsung

技術(shù)參數(shù)

  • Org.：

    512M x 8

  • Speed：

    1866 Mbps

  • Voltage：

    1.35 V

  • Temp.：

    0 ~ 85 °C

  • Package：

    78FBGA

  • Product Status：

    Mass Production

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMSUNG/三星
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FBGA96
32360
SAMSUNG/三星全新特價K4B4G0846E-BYMA即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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全新原裝 公司現(xiàn)貨 價優(yōu)
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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2021+
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勤思達(dá) 只做原裝正品 現(xiàn)貨供應(yīng)
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SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
2022+原裝正品
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支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨
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更多K4B4G0846E-BYMA供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 14:13:00

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