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K8A60DA中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào)	K8A60DA
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
文件大小	266.13 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-24 15:24:00

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.8 ?(typ.)

? High forward transfer admittance: ?Yfs?= 4.0 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 600 V)

? Enhancement-mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	K8A60DAMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	12	24+	TO-220F	2445	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	K8A60DA	TOSHIBA/東芝	2022+	TO-220F	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
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