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KSB1151

PNP (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT HIGHPOWERDISSIPATION:PT=1.3W(Ta=25°C) ComplementarytoKSD1691

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

KSB1151

Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current

Feature ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?LargeCollectorCurrent ?HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) ?ComplementtoKSD1691

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSB1151

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage LargeCollectorCurrent HighPowerDissipation ComplementtoKSD1691

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

KSB1151

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●LargeCollectorCurrent ●HighPowerDissipation ●ComplementtoKSD1691

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

KSB1151

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSB1151-TU

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage LargeCollectorCurrent HighPowerDissipation ComplementtoKSD1691

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

KSB1151YSTU

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSB1151YSTSSTU

包裝:管件 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V 5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSB1151YSTSTU

包裝:管件 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V 5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSB1151YSTU

包裝:管件 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V 5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSC1151JLFS

KSC11SeriesSealedTactSwitchforSMT

?Hardactuator ?Longlife ?Positivetactilefeeling ?IP67sealed ?SMT

CK-COMPONENTS

C&K Components

KTB1151

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT)

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES ?HighPowerDissipation:Pc=1.5W(Ta=25°C) ?ComplementarytoKTD1691

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KZT1151

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KZT1151A

PNPTransistors

■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-3A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-40V ●LowSaturationvoltage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

LTC1151

Dual15VZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC1151

Dual?15VZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC1151

Dual?15VZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC1151C

Dual?15VZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC1151CS

Dual?15VZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC1151CSW

Dual?15VZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號:

    KSB1151

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SB1127,2SB1140,2SB1143,2SB1151,2SB1165,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-100

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    20

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    KSB1151

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current

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更多KSB1151供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 10:00:00