KSH41C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
KSH41C |
參數(shù)屬性 | KSH41C 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 6A DPAK |
功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
296.29 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-24 19:10:00 |
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DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A
APPLICATIONS
· General purpose amplifier
· Low speed switching applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
KSH41CTF
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 600mA,6A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 3A,4V
- 頻率 - 躍遷:
3MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
D-Pak
- 描述:
TRANS NPN 100V 6A DPAK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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