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KTC2025D中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

KTC2025D
廠商型號(hào)

KTC2025D

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

304.25 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-19 19:10:00

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KTC2025D規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 120V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= 0.4V(Max) @IC= 0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    KTC2025D

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMP, MEDIUM SPEED SWITCHING)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
KEC
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