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L6387E集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

L6387E
廠商型號

L6387E

參數(shù)屬性

L6387E 封裝/外殼為8-DIP(0.300",7.62mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

功能描述

High-voltage high and low side driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

封裝外殼

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

207.3 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 23:11:00

L6387E規(guī)格書詳情

L6387E屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的L6387E柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The L6387E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The high side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.

Features

■ High voltage rail up to 600V

■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range

■ Driver current capability:

– 400mA source,

– 650mA sink

■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load

■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down

■ Internal bootstrap diode

■ Outputs in phase with inputs

■ Interlocking function

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    L6387E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    17V(最大)

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.5V,3.6V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    400mA,650mA

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    50ns,30ns

  • 工作溫度:

    -45°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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