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L8821PR中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

L8821PR
廠商型號(hào)

L8821PR

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE

文件大小

57.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 17:45:00

L8821PR規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Silicon LDMOS transistor designed specifically for Broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular Base Staions, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Drivers and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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