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LHA11017P	文件：1.34815 Mbytes Page：2 Pages	COMMON MODE CHOKE COIL FEATURES\| ?Excellentfrequencycharacteristics.\| ?Useofinsulatingmaterialhavingsuperiorflame\| resistance\| ?Availableeitherverticalmountingtype,orhorizontal\| mountingtype.\| APPLICATIONS\| @?Personalcomputersandperipherals.\| @Digitalequipments.\| ?Switching	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
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MJ11017	文件：21.71 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS) PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
MJ11017	文件：235.08 Kbytes Page：6 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors ...designedforuseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingandmotorcontrolapplications. ?HighdcCurrentGain@10Adc—hFE=400Min(AllTypes) ?Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO(sus	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ11017	文件：206.76 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,150-250V,175W) 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR150-250VOLTS175WATTS MJ11017,MJ11019,MJ11021=>PNP MJ11018,MJ11020,MJ11022=>NPN	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司	MOSPEC
MJ11017	文件：54.68 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=400(Min)@IC=-10A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-150V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-10A =-3.4V(Max)@IC=-15A ?ComplementtoTypeMJ1101	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJ11017	文件：235.08 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJ11017	文件：113.5 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJH11017	文件：86.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJH11017	文件：100.88 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJH11017	文件：136.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJH11017	文件：193.81 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingandmotorcontrolapplications. Features ?HighDCCurrentGain@10Adc—hFE=400Min(AllTypes) ?Collector?EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJH11017	文件：212.01 Kbytes Page：6 Pages	15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS150,200,250VOLTS150WATTS 15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJH11017	文件：86.19 Kbytes Page：6 Pages	15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS150??50VOLTS,150WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJH11017G	文件：86.19 Kbytes Page：6 Pages	15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS150??50VOLTS,150WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJH11017G	文件：100.88 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
PS11017	文件：254.53 Kbytes Page：3 Pages	PatchLead-CAT5E PatchLead-CAT5E ElectricalTest 100openshortandmisswiretest	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
PS11017	文件：411.47 Kbytes Page：6 Pages	Acousticnoise-less3.7kW/AC200Vclass3phaseinverterandothermotorcontrolapplications INTEGRATEDFUNCTIONSANDFEATURES ?3-phaseIGBTinverterbridgeconfiguredbythelatest3rd.generationIGBTanddiodetechnologies. ?Circuitfordynamicbrakingofmotorregenerativeenergy. INTEGRATEDDRIVE,PROTECTIONANDSYSTEMCONTROLFUNCTIONS: ?ForP-SideIGBTs:Drivecircuit,High	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
PS11017	文件：2.94402 Mbytes Page：6 Pages	FLAT-BASETYPEINSULATEDTYPE INTEGRATEDFUNCTIONSANDFEATURES ?3-phaseIGBTinverterbridgeconfiguredbythelatest3rd.generationIGBTanddiodetechnologies. ?Circuitfordynamicbrakingofmotorregenerativeenergy. INTEGRATEDDRIVE,PROTECTIONANDSYSTEMCONTROLFUNCTIONS: ?ForP-SideIGBTs:Drivecircuit,High	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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