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LM5112Q1SD/NOPB集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

LM5112Q1SD/NOPB
廠商型號

LM5112Q1SD/NOPB

參數(shù)屬性

LM5112Q1SD/NOPB 封裝/外殼為6-WDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

功能描述

Tiny 7A MOSFET Gate Driver

封裝外殼

6-WDFN 裸露焊盤

文件大小

940.64 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-2 17:20:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    LM5112Q1SD/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    3.5V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    3A,7A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    14ns,12ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-WSON(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

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