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LMFB30P10K

Marking：NCE01P30；Package：TO-220-3L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

30P10GH-HF

P-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

ADM30P10E

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●ReliableandRugged ●100%EASGuaranteed

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

ADM30P10Q

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●ReliableandRugged ●100%EASGuaranteed

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

AP30P10GH-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP30P10GI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP30P10GP-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP30P10GS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

CED30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-100V,-30A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=92mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-27A,RDS(ON)=76mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=92mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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1201+
QFN金底/.
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多LMFB30P10K供應商 更新時間2025-7-12 14:08:00

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