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IPAW60R280CE	文件：1.01271 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS?CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MMF60R280QTH	文件：1.16753 Mbytes Page：10 Pages	600V0.28ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R280QTH	文件：323.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SLF60R280SJ	文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
SLP60R280SJ	文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI

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更多LSG60R280HT供應(yīng)商更新時間2025-2-14 15:00:00