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LT1991IMS-TRPBF	文件：279.1 Kbytes Page：28 Pages	Precision,100關(guān)AGainSelectableAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTCT1991CDD-TRPBF	文件：279.1 Kbytes Page：28 Pages	Precision,100關(guān)AGainSelectableAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LX1991	文件：277.38 Kbytes Page：9 Pages	SixOutputProgrammableLEDCurrentSink	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX1991ILQ	文件：277.38 Kbytes Page：9 Pages	SixOutputProgrammableLEDCurrentSink	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MDE1991	文件：1.0084 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,4.4m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDE1991RH	文件：1.0084 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,4.4m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1991	文件：1.1182 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,5.9mΩ GeneralDescription TheMDP1991usesadvancedMagnachip’sMOSFET Technology,whichprovideshighperformanceinon-state resistance,fastswitchingperformanceandexcellent quality.MDP1991issuitabledeviceforDC/DCConverter andgeneralpurposeapplications. Features ?VDS=100V ?	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1991TH	文件：1.1182 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,5.9mΩ GeneralDescription TheMDP1991usesadvancedMagnachip’sMOSFET Technology,whichprovideshighperformanceinon-state resistance,fastswitchingperformanceandexcellent quality.MDP1991issuitabledeviceforDC/DCConverter andgeneralpurposeapplications. Features ?VDS=100V ?	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
TA1991A	文件：477.13 Kbytes Page：7 Pages	SAWRxFilter2605MHzLTEBand41SMD1109(100MHzBW)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
W1991	文件：991.2 Kbytes Page：13 Pages	LTEStealthBladeAntenna	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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