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LWE2015R中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

LWE2015R
廠商型號(hào)

LWE2015R

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

62.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-25 14:30:00

LWE2015R規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT446A metal ceramic studless package.

FEATURES

? Interdigitated structure provides high emitter efficiency

? Diffused emitter ballasting resistor provides excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance.

APPLICATIONS

? Common emitter class-A amplifiers up to 2.3 GHz in CW conditions for military and professional applications.

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