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M20N20MA-H

包裝：散裝 描述：ADAP M20(M)-1/2 NPT(F) HEX

Weidmüller

Weidmüller

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M20N20MA-H

包裝：散裝 描述：ADAP M20(M)-1/2 NPT(F) HEX

Weidmüller

Weidmüller

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M20N20MA-H

包裝：散裝 描述：ADAP M20(M)-1/2 NPT(F) HEX

Weidmüller

Weidmüller

Weidmüller

MTB20N20E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB20N20E

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTS

TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhigh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB20N20E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP20N20

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP20N20E

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    M20N20MA-H

  • 制造商：

    Weidmüller

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    ADAP M20(M)-1/2 NPT(F) HEX

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多M20N20MA-H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 11:10:00

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