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M59DR008E120ZB6T

8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

DESCRIPTION TheM59DR008isan8Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    M59DR008E120ZB6T

  • 功能描述:

    閃存 8M(512Kx16) 120ns

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    1 bit

  • 存儲(chǔ)類型:

    Flash

  • 存儲(chǔ)容量:

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu):

    256 K x 8

  • 接口類型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
21+
原廠原封
23480
詢價(jià)
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24+
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多M59DR008E120ZB6T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 10:34:00