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MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MV20010

GaAsVaractorDiodesAbruptJunction

Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

PD20010-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PD20010S-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PD20010STR-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PD20010TR-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PNE20010ER

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PNE20010ER-Q

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadSOD123WSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?ReversevoltageVR≤200V ?ForwardcurrentIF≤1A ?Hyp

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MAX20010CATPD/V+T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 穩(wěn)壓器 - DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 功能：

    降壓

  • 輸出配置：

    正

  • 拓撲：

    降壓

  • 輸出類型：

    可調(diào)式

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    3V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    5.5V

  • 電壓 - 輸出（最小值/固定）：

    0.82V

  • 電流 - 輸出：

    6A

  • 頻率 - 開關(guān)：

    2.2MHz

  • 同步整流器：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    20-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    20-TQFN（4x4）

  • 描述：

    AUTOMOTIVE SINGLE 6A STEP-DOWN C

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Maxim
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TQFN-20_EP(4x4)
9990
原裝正品，支持實單
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更多MAX20010CATPD/V+T供應(yīng)商 更新時間2025-6-23 11:00:00

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