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MUR20010CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MV20010

GaAsVaractorDiodesAbruptJunction

Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MAX20010DATPT/V+T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 穩(wěn)壓器 - DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 功能：

    降壓

  • 輸出配置：

    正

  • 拓?fù)洌?/span>

    降壓

  • 輸出類型：

    可調(diào)式

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    3V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    5.5V

  • 電壓 - 輸出（最小值/固定）：

    0.75V

  • 電流 - 輸出：

    6A

  • 頻率 - 開關(guān)：

    2.2MHz

  • 同步整流器：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    20-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    20-TQFN（4x4）

  • 描述：

    0.75VOUT MEDIATEK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MAX20010DATPT/V+T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-8 18:00:00

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