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SMS2009E

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SMS2009E-C

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SRN2009T

Semi-shieldedPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SRU2009

ShieldedSMDPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SRU2009

ShieldedSMDPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SSD2009

DualN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSD2009A

DualN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSD2009A

DualN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSD2009ATF

DualN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSR2009CTM

20AMPS100VOLTSCENTERTAPSCHOTTKYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

產品屬性

  • 產品編號：

    MAX2009ETI-T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 其它 IC 和模塊

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 功能：

    RF 前置補償器

  • 頻率：

    1.2GHz ~ 2.5GHz

  • 射頻類型：

    CDMA2000，DCS1800，WCMDA/UMTS

  • 輔助屬性：

    高達 12dB ACPR 性能改善

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    28-TQFN（5x5）

  • 描述：

    IC RF PREDISTORT ADJ 28-TQFN

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MAX2009ETI-T供應商 更新時間2025-7-9 17:12:00

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