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PBSS5160DS

60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5160DS

60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5160K

60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT346(SC-59A)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highco

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5160K

60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT346(SC-59A)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBSS5160PAP

60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBSS5160PAP

60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5160PAPS

60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5160QA

60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBSS5160QA

60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4160QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS5160T

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MAX5160MEUA-T

  • 功能描述：

    數(shù)字電位計 IC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Maxim Integrated

  • 電阻：

    200 Ohms

  • 溫度系數(shù)：

    35 PPM/C

  • 容差：

    25 % POT

  • 數(shù)量：

    Dual 每 POT

  • 分接頭：

    256

  • 弧刷存儲器：

    Volatile

  • 數(shù)字接口：

    Serial(3-Wire, SPI)

  • 描述/功能：

    Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer

  • 工作電源電壓：

    1.7 V to 5.5 V

  • 電源電流：

    27 uA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TQFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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公司現(xiàn)貨
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MAXIM
23+
37551
公司原裝現(xiàn)貨!主營品牌!可含稅歡迎查詢
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2023+
3000
進口原裝現(xiàn)貨
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2405+
原廠封裝
12500
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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