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MBD110DWT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MBD110DWT1G
廠商型號

MBD110DWT1G

參數(shù)屬性

MBD110DWT1G 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

功能描述

Dual Schottky Barrier Diodes
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

封裝外殼

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

112.01 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-6 18:36:00

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MBD110DWT1G規(guī)格書詳情

MBD110DWT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MBD110DWT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導(dǎo)體器件,只允許一個方向通過電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標準型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MBD110DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    肖特基 - 2 個獨立式

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同?Vr、F 時電容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

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