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MBT3904DW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBT3904DW1T1G
廠商型號

MBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

137.55 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 23:11:00

MBT3904DW1T1G規(guī)格書詳情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin?off of our popular SOT?23/SOT?323 three?leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT?363 six?leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100?300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
11+
SOT363
1863
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ON
2016+
SOT363
26679
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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ON/安森美
23+
N/A
307048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
詢價
ON
23+
SOT23
6500
全新原裝假一賠十
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON
2020+
SOT363
80000
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ON/安森美
23+
SOT-363
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Onsemi
24+
SOT-363
39500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 支持實(shí)單價優(yōu)
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ON/安森美
22+
SOT363
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只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十
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ON
23+
SOT363
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價