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MMBT3906

350mW,PNPSmallSignalTransistor

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

MMBT3906

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Ascomplementarytype,theNPNtransistor MMBT3904isRecommended ●Epitaxialplanardieconstruction

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

MMBT3906

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

MMBT3906

GENERALPURPOSEAPPLIATION

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBT3906

Forswitchingandamplifierapplications

Forswitchingandamplifierapplications AscomplementarytypestheNPNtransistors MMBT3904isrecommended.

KINGTRONICSKingtronics International Company

金力金力國際公司

MMBT3906

PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIER

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

MMBT3906

PNPGeneralPurposeAmplifier

Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBT3906

200mWPNPBipolarTransistors

Feature *PowerDissipationPcm=200mW(Ta=25C) *CollectorCurrentIcm=0.2A *Collector-baseVoltageVbr(cbo)=40V *OperatingandStorageJunctionTemperatureRangeTj.Tstg:-55C~+150C *Marking2A

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

MMBT3906

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

MMBT3906

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒濟南晶恒電子有限責(zé)任公司

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更多MCP3906T-ISLASHSS供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:35:00

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