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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)3.7mΩ ID180A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID87A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司 | YANGJIE |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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