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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET62A,25V,N??hannel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET62A,25V,N??hannel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
N-Channel20-V(D-S)175?CMOSFET | TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團 | TFUNK | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF60N02combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeco | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司 | TUOFENG |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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