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MDI100-12A3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MDI100-12A3
廠商型號

MDI100-12A3
參數(shù)屬性

MDI100-12A3 封裝/外殼為Y4-M5；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
功能描述

IGBT Modules
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
封裝外殼

Y4-M5
文件大小

118.44 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
IXYS
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-3 9:38:00
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MDI100-12A3規(guī)格書詳情

MDI100-12A3屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MDI100-12A3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

IGBT Modules

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

特性 Features

● NPT IGBT technology

● low saturation voltage

● low switching losses

● switching frequency up to 30 kHz

● square RBSOA, no latch up

● high short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy parallelling

● MOS input, voltage controlled

● ultra fast free wheeling diodes

● package with DCB ceramic base plate

● isolation voltage 4800 V

● UL registered E72873

Advantages

● space and weight savings

● reduced protection circuits

Typical Applications

● AC and DC motor control

● AC servo and robot drives

● power supplies

● welding inverters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MDI100-12A3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，75A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    Y4-M5

  • 供應商器件封裝：

    Y4-M5

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
2015
模塊
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IXYS/艾賽斯
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23+
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IXYS
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IXYS
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