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MDI6N65BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDI6N65BTH

650V N-Ch MOSFET;

MagnaChipMagnaChip Semiconductor.

美格納

MDI6N65BTH

N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MPCF6N65A

ZeroReverseRecoveryCurrent

Features ZeroReverseRecoveryCurrent ?ZeroForwardRecoveryVoltage ?Temperature-independentSwitchingBehavior ?PositiveTemperatureCoefficientonVF ?High-speedswitchingpossible ?Highsurgecurrentcapability Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?MotorDrives ?Power

FS

First Silicon Co., Ltd

MSF6N65

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTN6N65BFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MDI6N65BTH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 10:58:00

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