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MGF4952A中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MGF4952A
廠商型號(hào)

MGF4952A

功能描述

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

文件大小

182.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Mitsubishi三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 11:49:00

MGF4952A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.

FEATURES

Low noise figure @ f=12GHz

MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)

MGF4952A : NFmin. = 0.60dB (Typ.)

High associated gain @ f=12GHz

Gs = 12.0dB (Typ.)

APPLICATION

C to K band low noise amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MGF4952A

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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