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MGF4953A

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)

DESCRIPTION TheMGF4953A/MGF4954Asuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinCtoKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=12GHz MGF4953A:NFmin.=0.40dB(Typ.) MGF49

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

Mitsubishi

MGF4953A

低噪聲GaAs HEMT

MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MITSUBISHI

MGF4953A_11

Low Noise GaAs HEMT

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

Mitsubishi

MGF4953B

SUPERLOWNOISEInGaAsHEMTLeadlessCeramicPackage

DESCRIPTION TheMGF4953Bsuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=20GHz NFmin.=0.55dB(Typ.) Highassociatedgain@f=20GHz

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

Mitsubishi

MI4953

DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

MSC4953W

-30V(D-S)DualP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

MORESEMI

技術(shù)參數(shù)

  • Noise Figure (dB)：

    0.4(typ) 0.5(max)

  • Associated Gain(dB)：

    12.0(min) 13.0(typ)

  • Frequency(GHz)：

    12.0

  • Drain-Source Voltage(V)：

    2.0

  • Drain Current(mA)：

    10.0

  • S-parameter：

    mgf4953a.s2p

  • Remarks：

    G

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MITSUBISHI/三菱
25+
GD-27
17519
MITSUBISHI/三菱原裝特價MGF4953A即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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MITSUBISHI
24+
QFN
15000
只做原裝,假一罰十
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MITSUBISH
2011+
GD-27
6000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
MITSUBIS
2021+
SMD
500020
詢價
MITSUBLSHI
24+
SMD
6000
原裝深圳現(xiàn)貨特價
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MITSUBISHI
2017+
SMD
1585
只做原裝正品假一賠十!
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MITSUBISHI
2020+
SMD
4500
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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MIT
17+
SMD
9800
只做全新進口原裝,現(xiàn)貨庫存
 詢價
MITSUBISHI
23+
NA
25060
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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MITSUBISHI
24+
SMD
5500
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談
 詢價
更多MGF4953A供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 14:14:00

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